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半导体激光治疗仪
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注册号 国食药监械(进)字2008第3242533号
生产厂商名称(中文)
产品性能结构及组成 结构组成:主机,治疗探头,脚踏开关,电源线。主要性能:波长980nm,功率1-30W,单脉冲持续时间为5ms-1000ms;单脉冲间隔时间为5ms-1000ms;脉冲串间的间隔时间为250ms-9.75s。医学全在.线www.lindalemus.com
产品适用范围 该仪器用于患者椎间盘髓核汽化治疗(PLDD)、静脉曲张治疗(EVLT),以及口腔科、皮肤科的组织临床烧灼、切割、照射及镇痛、抗炎治疗。
注册代理 上海希统医疗设备有限公司
售后服务机构 上海希统医疗设备有限公司
批准日期 2008.08.29
有效期截止日 2012.08.28
备注
变更日期
生产厂商名称(英文) EUFOTON S.R.L
生产厂地址(中文) Bic FVG,23/1 Flavia Street,34148-Trieste,ITALY
生产场所 Bic FVG,23/1 Flavia Street,34148-Trieste,ITALY
生产国(中文) 意大利
产品名称(中文) 半导体激光治疗仪
产品名称(英文) Diode Laser System
规格型号 LASEmaR 1000
产品标准 进口产品注册标准 YZB/ITA 2208-2006 《半导体激光治疗仪》
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