| 公开(公告)号 | CN1901139A |
| 公开(公告)日 | 2007.01.24 |
| 申请(专利)号 | CN200510084357.3 |
| 申请日期 | 2005.07.19 |
| 专利名称 | 砷化镓衬底上制备纳米尺寸坑的方法 |
| 主分类号 | H01L21/18(2006.01)I |
| 分类号 | H01L21/18(2006.01)I;H01L33/00(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I |
| 分案原申请号 | |
| 优先权 | |
| 申请(专利权)人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 发明(设计)人 | 李 凯;叶小玲;王占国 |
| 地址 | 100083北京市海淀区清华东路甲35号 |
| 颁证日 | |
| 国际申请 | |
| 进入国家日期 | |
| 专利代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 |
| 代理人 | 汤保平 |
| 国省代码 | 北京;11 |
| 主权项 | 一种砷化镓衬底上制备纳米尺寸坑的方法，其特征在于，包括如下步骤： 步骤1：以半绝缘砷化镓单晶片为衬底； 步骤2：异质外延生长砷化铟应变自组装纳米点； 步骤3：外延砷化镓薄层，使其部分覆盖上述砷化铟纳米点； 步骤4：第一次退火； 步骤5：衬底温度降温至400℃以下； 步骤6：衬底温度升温到500-530℃； 步骤7：第二次退火，在砷化镓衬底上形成纳米尺寸坑。 |
| 摘要 | 一种砷化镓衬底上制备纳米尺寸坑的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：以半绝缘砷化镓单晶片为衬底；步骤2：异质外延生长砷化铟应变自组装纳米点；步骤3：外延砷化镓薄层，使其部分覆盖上述砷化铟纳米点；步骤4：第一次退火；步骤5：衬底温度降温至400℃以下；步骤6：衬底温度升温到500-530℃；步骤7：第二次退火，在砷化镓衬底上形成纳米尺寸坑。 |
| 国际公布 |
