| 公开(公告)号 | CN1272002C |
| 公开(公告)日 | 2006.08.30 |
| 申请(专利)号 | CN200410000307.8 |
| 申请日期 | 2004.01.07 |
| 专利名称 | 一种超分子插层结构缓释型卡托普利及其制备方法 |
| 主分类号 | A61K31/401(2006.01)I |
| 分类号 | A61K31/401(2006.01)I;A61K9/24(2006.01)I;C07D207/16(2006.01)I;A61P9/12(2006.01)I;A61P9/04(2006.01)I;A61P19/02(2006.01)I |
| 分案原申请号 | |
| 优先权 | |
| 申请(专利权)人 | 北京化工大学 |
| 发明(设计)人 | 段 雪;张 慧;徐向宇 |
| 地址 | 100029北京市朝阳区北三环东路15号 |
| 颁证日 | |
| 国际申请 | |
| 进入国家日期 | |
| 专利代理机构 | 北京思海天达知识产权代理有限公司 |
| 代理人 | 何俊玲 |
| 国省代码 | 北京;11 |
| 主权项 | 一种超分子插层结构缓释型卡托普利，其化学式为： (M2+)1-x(M3+)x(OH)2(Cpl-)a1(Cpl2-)a2(Bn-)b·mH2O 其中M2+是Zn2+、Mg2+、Ni2+、Cu2+、Fe2+、Co2+、Ca2+、Mn2+中的任何一种； M3+是Al3+、Fe3+、Cr3+、V3+、Co3+、Ga3+、Ti3+中的任何一种； Cpl-、Cpl2-分别代表层间一价、二价卡托普利阴离子； Bn-为荷电量为n的无机阴离子，Bn-可以不存在或为CO32-、NO3-、Cl-、Br-、I-、OH-、H2PO4-中的任何一种、二种或三种； 0.1＜X＜0.8； a1、a2、b分别为Cpl-、Cpl2-、Bn-的数量，并且a1+2×a2+n×b＝X； m为结晶水数量，0.01＜m＜4。 |
| 摘要 | 本发明涉及一种超分子插层结构缓释型卡托普利及其组装方法。本发明以阴离子层状材料LDH为主体，卡托普利为插层客体，将两种可溶性金属盐配置成的混合盐溶液与卡托普利的碱溶液经插层组装得到超分子结构Cp1-LDHs，其化学式为：(M2+)1-x(M3+)x(OH)2(Cpl-)a1(Cpl2-)a2(Bn-)b·mH2O。该缓释剂中卡托普利质量百分含量为20-50％，水的质量百分含量为5-20％。该缓释型卡托普利具有更佳的缓释效果，其缓释持效期可达到0.5h-12h。 |
| 国际公布 |
