| 公开(公告)号 | CN1775209A |
| 公开(公告)日 | 2006.05.24 |
| 申请(专利)号 | CN200410090817.9 |
| 申请日期 | 2004.11.15 |
| 专利名称 | 一种磁性靶向缓释型卡托普利及其制备方法 |
| 主分类号 | A61K31/401(2006.01)I |
| 分类号 | A61K31/401(2006.01)I;A61K31/555(2006.01)I;A61K9/00(2006.01)I;A61P9/12(2006.01)I;A61P9/04(2006.01)I |
| 分案原申请号 | |
| 优先权 | |
| 申请(专利权)人 | 北京化工大学 |
| 发明(设计)人 | 段 雪;张 慧;孙 辉 |
| 地址 | 100029北京市朝阳区北三环东路15号 |
| 颁证日 | |
| 国际申请 | |
| 进入国家日期 | |
| 专利代理机构 | 北京思海天达知识产权代理有限公司 |
| 代理人 | 何俊玲 |
| 国省代码 | 北京;11 |
| 主权项 | 一种磁性靶向缓释型卡托普利，其化学式为： (M2+)1-x(M3+)x(OH)2(Cpl-)a(Cpl2-)b(Bn-)c·mH2O/(MP)y 其中M2+是二价金属离子Zn2+、Mg2+、Ni2+、Cu2+、Fe2+、Co2+、Ca2+、Mn2+中的任何一种；M3+是三价金属离子Al3+、Fe3+、Cr3+、V3+、Co3+、Ga3+、Ti3+中的任何一种； Cpl-、Cpl2-分别代表层间一价、二价卡托普利阴离子； Bn-为荷电量为n的无机阴离子，Bn-可以不存在或为CO32-、NO3-、Cl-、Br-、I-、OH-、H2PO4-中的任何一种； 0.1＜X＜0.8；a、b、c分别为Cpl-、Cpl2-、Bn-的数量，且a+2×b+n×c＝X；m为结晶水数量，0.01＜m＜4； MP代表磁性物质MgFe2O4、NiFe2O4、CoFe2O4、ZnFe2O4、MnFe2O4或Fe3O4中的任何一种；y为MP的数量，0.001＜y＜1； 该磁性缓释剂的比饱和磁化强度为1.0-6.0emu/g，粒度分布在20-200nm，磁性缓释剂中卡托普利质量百分含量为10-50％；缓释持效期是0.4-13h。 |
| 摘要 | 本发明涉及一种磁性靶向缓释型卡托普利及其制备方法。本发明以尖晶石型铁氧体及四氧化三铁为磁性物种，阴离子层状材料LDHs为主体，卡托普利为插层客体，通过自组装实现了Cpl-LDHs/MP的结构设计。该磁性卡托普利缓释剂为壳核型结构，即在磁性纳米颗粒外包覆层状材料Cpl-LDHs，比饱和磁化强度为1.0-6.0emu/g，其颗粒粒度分布在20-200nm。该磁性缓释剂中卡托普利质量百分含量为10-50％；缓释持效期可达到0.4h-13h。 |
| 国际公布 |
