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您现在的位置: 医学全在线 >> 药学理论 >> 中国药品专利文献 >> 正文:一种磁性插层结构缓释型5-氨基水杨酸及其制备方法专利检索:专利号/专利人/发明人
    

一种磁性插层结构缓释型5-氨基水杨酸及其制备方法

公开(公告)号 CN1283255C  
公开(公告)日 2006.11.08  
申请(专利)号 CN200410037655.2  
申请日期 2004.04.29  
专利名称 一种磁性插层结构缓释型5-水杨酸及其制备方法  
主分类号 A61K31/60(2006.01)I  
分类号 A61K31/60(2006.01)I;A61K9/20(2006.01)I;A61P1/04(2006.01)I;A61P1/00(2006.01)I  
分案原申请号  
优先权  
申请(专利权)人 北京化工大学  
发明(设计)人 段 雪;张 慧;孙 辉  
地址 100029北京市朝阳区北三环东路15号  
颁证日  
国际申请  
进入国家日期  
专利代理机构 北京思海天达知识产权代理有限公司  
代理人 何俊玲  
国省代码 北京;11  
主权项 一种磁性5-氨基水杨酸缓释剂型,其经验化学式为:(M2+)1-x(M3+)x(OH)2(5-ASA-)a(Bn-)b·mH2O/NFe2O4其中M2+是Zn2+、Mg2+、Ni2+、Cu2+、Fe2+、Co2+、Ca2+、Mn2+中的任意一种;M3+是Al3+、Fe3+、Cr3+、V3+、Co3+、Ga3+、Ti3+中的任意一种;5-ASA-为层间的5-氨基水杨酸一价阴离子;Bn-为电荷数为n的无机阴离子,Bn-可以不存在或为CO32-、NO3-、Cl-、Br-、I-、OH-、H2PO4-中的任何一种、二种或三种;0.1<X<0.8;a、b分别为5-ASA-、Bn-的数量,且a、b满足a+n×b=X;m为结晶水数量,0.01<m<4;NFe2O4为尖晶石型磁性物种,N是Mg2+、Co2+、Ni2+、Zn2+、Mn2+中的任何一种。  
摘要 本发明涉及一种磁性超分子插层结构缓释型5-氨基水杨酸及其制备方法。本发明以尖晶石型NFe2O4为磁性物种,阴离子层状材料LDHs为主体,5-氨基水杨酸为插层客体,先将尖晶石纳米粉体加入含二价、三价金属离子的可溶性混合盐溶液中,再同含5-氨基水杨酸的碱溶液经插层组装得到超分子结构5-ASA-LDHs/NFe2O4。该磁性5-氨基水杨酸缓释剂为壳核型结构组成,即在NFe2O4纳米颗粒外包覆层状材料5-ASA-LDHs,其比饱和磁化强度为1.0-4.0emu/g,其颗粒粒度在25-120nm左右。本发明赋予药物以磁性,在外磁性的引导下可靶向药物至病灶部位,可缩短治疗时间、提高治疗效果。  
国际公布  
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