N-苯基-N′-1,2,3-噻二唑-5-脲在天山雪莲快速繁殖中的应用方法

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公开(公告)号	CN100998316A
公开(公告)日	2007.07.18
申请(专利)号	CN200610011157.X
申请日期	2006.01.11
专利名称	N-苯基-N′-1,2,3-噻二唑-5-脲在天山雪莲快速繁殖中的应用方法
主分类号	A01H4/00(2006.01)I
分类号	A01H4/00(2006.01)I;C12N5/04(2006.01)I;A01G7/00(2006.01)I
分案原申请号
优先权
申请(专利权)人	中国科学院过程工程研究所
发明(设计)人	刘春朝;郭斌
地址	100080北京市海淀区中关村北二条1号
颁证日
国际申请
进入国家日期
专利代理机构	上海智信专利代理有限公司
代理人	李柏
国省代码	北京;11
主权项	一种N-苯基-N′-1，2，3-噻二唑-5-脲在天山雪莲快速繁殖中的应用方法，其特征是，该方法包括以下步骤： (1).取天山雪莲种子，用次氯酸钠溶液或氯化汞溶液进行表面灭菌，然后接到无激素的MS固体培养基上；待幼苗生长15～42天后，取其根、茎、叶接种到含0.25～5μM N-苯基-N′-1，2，3-噻二唑-5-脲的MS培养基上诱导脱分化，培养温度25±2℃，光照强度为500～5000Lux、光周期10～16小时； (2).将步骤(1)培养20～40天后产生的愈伤组织转接到含0.05～2.0μMN-苯基-N′-1，2，3-噻二唑-5-脲的MS培养基上继代培养，每隔3～5代，用低温处理愈伤组织，在0～4℃下处理1～4周；然后转接到含0.05～2.0μM N-苯基-N′-1，2，3-噻二唑-5-脲的MS培养基上继续培养，培养温度25±2℃，光照强度为500～5000Lux、光周期10～16小时； (3).将步骤(2)培养20～30天的愈伤组织转接到MS无激素培养基上继续培养，培养温度25℃，光照强度为500～5000Lux、光周期10～16小时；培养35天后产生大量的不定芽； (4).当不定芽伸长至3～5cm时，转移到加有1.65g/L的NH4NO3、1.9g/L的KNO3、0.17g/L的KH2PO4、0.37g/L的MgSO4.7H2O和0.44g/L的CaCl2.2H2O的MS并附加0.2～2mg/L IAA的培养基上诱导生根，或者附加0.5～2mg/L NAA的培养基上诱导生根，或者附加0.2～2mg/L IBA的培养基上诱导生根。
摘要	本发明属于生物技术领域，特别涉及植物生长调节剂N-苯基-N′-1，2，3-噻二唑-5-脲在天山雪莲快速繁殖中的应用方法。通过使用新型植物生长调节剂TDZ获得具有强分化能力的天山雪莲脱分化组织，这种组织可在TDZ培养基上多次继代，当移入无激素培养基上，经过20～40的培养，可产生大量的芽。经过低温处理可强化这种组织的分化能力。将产生的芽移到生根培养基上诱导生根，两周以后，生根率可达95％。本发明利用新型生长调节剂对天山雪莲的形态发生进行调控，结合低温处理，建立了天山雪莲种苗可持续化生产的新型工艺。与传统的利用外植体一次性诱导再生的方法相比较，具有材料利用率高、生产效率高、节省了人力、物力等优点。
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